在第七届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2018产业和技术展望研讨会上，富士通电子元器件产品管理部总监冯逸新就富士通对非易失性存储器的策略以及创新方向为大家做了分享。“FRAM(铁电存储器)用于数据记录;NRAM(碳纳米管存储)用于数据记录和电码储存, 还可替代NOR Flash;ReRAM(电阻式记忆体)可替代大容量EEPROM。”

物联网(IoT)应用若要全面普及，必须要考虑降低在基础设施中大规模部署的大量传感器设备的能源消耗，这是现阶段业界正在寻求突破的一大技术难点，据悉业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”(ReRAM)，有助达成此一节能目标。

比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注!曾经一度大举退出内存生产的中芯国际，为何锁定瞄准ReRAM?主要原因在于ReRAM应用在物联网(IoT)装置拥有愈长的电池续航力，一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。