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国外学者开发新型磁存储器件有望解决AI的内存瓶颈
02/12
美国和意大利研究人员10日在杂志上发表研究报告称，他们开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件，其体积很小，耗能也非常低，很可能有助于解决目前人工智能(AI)发展所遭遇的“内存瓶颈”。
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