物联网(IoT)与可穿戴设备热潮带来了对低功耗内存的更殷切需求，程度甚至超越目前智能手机与平板设备;产业专家认为，如同移动内存，物联网与可穿戴设备也需要有依据不同使用情境量身打造的内存规格。

嵌入式非挥发性内存领导厂商力旺电子，与中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际，共同宣布，已联手扩大在非挥发性内存技术上的发展布局，合作制程涵盖0.35微米至40纳米等，横跨 NeoBit、NeoFuse、NeoEE 与 NeoMTP 等单次与多次可程序嵌入式非挥发性内存技术 (eNVM)。

铁电内存(F-RAM)供货商Ramtron International Corporation稍早前展示了一款MaxArias无线内存。这种无线内存结合了Gen2 RFID无线存取功能与其非挥发性F-RAM内存技术的低功耗、高速度和高耐久性，能让设计师运用RF兼容高性能应答器(transponder) IC来发送、撷取和储存更多的信息，从而扩大其系统的通讯范围和内存容量。