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新闻

三星推全新嵌入式闪存NFC芯片

全球先进半导体解决方案领军品牌三星电子今天宣布推出全新近场通信(NFC)芯片S3FWRN5，以小型封装实现强大射频(RF)性能。相比上一代产品S3FNRN3，新推出的S3FWRN5芯片的RF性能得到显著提高，阅读器和卡仿真模式的RF连接距离延长了一倍。

0805 RFID世界上午茶：华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片

中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。

华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片

中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。

三星电子首创45nm嵌入式闪存工艺用于智能卡芯片

三星电子成功开发业界首款45nm嵌入式闪存(Embedded Flash或eFlash, 内置型闪存)工艺以及采用此工艺的智能卡芯片。嵌入式闪存工艺是在控制和处理数据的系统半导体电路中，实现闪存电路的数据存储，可提高集成度和电力效率，适用于家电，移动设备，汽车等多个领域的产品应用。

同方微电子携手宏力半导体稳定量产0.13微米最小闪存存储单元SIM卡

近日，专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)共同宣布, 同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗，且生产良率稳定，产品性能突出，已大量投放国内市场。

华虹NEC实现“国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖”三连冠

上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)自主研发的“SONOS 0.13微米嵌入式闪存(eFlash)技术”荣获“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖-优秀应用成果奖”，这是华虹NEC连续第三年获得这一殊荣。

英飞凌携手台积电开发芯片卡所需的65纳米嵌入式闪存工艺

英飞凌科技股份公司与台积电日前共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。

华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果

2008年10月30日－世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。