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MOSAID率先推出单通道高性能16芯片NAND闪存块
04/05
MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封装将16片行业标准32Gb NAND闪存芯片和2片HLNAND接口器件组合在一起,在一个单字节宽HLNAND接口通道上实现了333MB/秒的输出。普通NAND闪存多芯片封装设计不能堆迭超过4片NAND芯片,否则性能便会降低,并且需要用两个甚至多个通道来实现类似的吞吐率。
SANDISK宣布推出的19纳米工艺制造技术的NAND闪存芯片
04/26
全球闪存卡的领导者SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) 近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit (Gb) 单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。
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