韩国三星电子准备量产混载铁电存储器（FeRAM）的多功能IC卡（智能卡）逻辑芯片。三星相关负责人说，“量产课题已得到解决”，但量产时间未予公布。并在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技术国际会议“2004 Symposium on VLSI Technology”上公布了试产芯片的详情。铁电材料采用了配向为（111）的PZT。铁电材料是利用MOCVC技术制成的。
　　此次发表的试产芯片除控制用逻辑电路外，在保存数据方面，配备了128KB FeRAM和8KB FeRAM闪存，在保存代码方面，配备了384KB掩膜ROM。试产芯片的主要规格如下：设计工艺为180nm。工作电压为+1.62V～+5.5V。读写周期为100ns。工作时的耗电量为4mA。芯片面积为15.4mm2，FeRAM存储单元面积为2.4μm2。采用4层金属布线，可擦写次数在10的12次方以上。
　　据三星称，通过使用FeRAM代替EEPROM，将会带来很多优点。比如，处理性能更高了，可擦写次数增加了，生产工艺简单了，芯片面积缩小了。内置EEPROM的多功能IC卡逻辑芯片的读写周期较长，为4ms，而且可擦写次数也少，在10的5次方以下。作为混载FeRAM的多功能IC卡逻辑芯片，富士通已经开始量产。仅从国际学术会议上的技术发表来看，就会发现作为FeRAM的应用领域，三星过去一直比较重视面向手机等领域的独立应用。在多功能IC卡等逻辑芯片中混载FeRAM，此次还是第一次技术发表。