包括TDK Corp和Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd在内的几家日本公司联合开发两款新型RFID标签,采用TFT技术在柔韧PET的底层上制作RFID标签(由RFID芯片和天线组成)原型。
包括TDK Corp和Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd在内的几家日本公司联合开发两款新型RFID标签,采用TFT技术在柔韧PET的底层上制作RFID标签(由RFID芯片和天线组成)原型。
这两款新标签原型的工作频段分别是13.56 MHz和900 MHz,其中13.56 MHz频率标签的厚度,包括芯片外面的保护层在内,大约只有30微米。
新型UHF标签的大小为35 mm x 53 mm,比13.56 MHz标签的尺寸 10 mm x 10 mm要大,因此UHF频段的标签还含一层作粘贴作用的PET底层。UHF标签的厚度为75微米。两款标签可以嵌入厚度为100微米的纸里。
上面是UHF频段的标签,下面是13.56 MHz的标签
“我们了解到如果要将标签嵌在纸里,标签厚度最好是纸张厚度的三分之一,或更少。他们解释说将标签的厚度设为在三十微米的原因。
UHF标签的厚度也可以做成30微米。
嵌入纸里13.56 MHz的标签
虽然设计这两款原型的目的是嵌在纸里,但是他们还没决定具体的应用。
这两款标签都比采用单晶硅的RFID标签的厚度(100微米)薄,我们希望利用标签的高灵活性来宣传标签,开拓市场,开发团队称。
举个例子,13.56MHz 标签的原型可应用在直径为5毫米的圆筒上,围绕着圆筒。
提高的生产工艺 另外,除了采用TFT技术外,新标签的生产工艺也得到了提高:
首先, 基于TFT技术将芯片制作到一个玻璃底层上
将芯片从玻璃底层上“取”走,用粘附剂将它们粘附在另一个“临时底层”。 最后再将芯片取走,再次贴一个PET柔韧底层上。
这个过程最难的部分在于如何将芯片毫发无伤地从玻璃底层取走。 开发团体解释说,他们为“临时底层”挑选了的适合的材料和形状,调整了去除底层过程中的温度控制方法。
除了这种最新采用临时底层的方式,其他去除芯片的方式包括:切除玻璃底层,将剩下的部分用化学药剂溶解掉,或通过激光束将芯片从玻璃上去除掉。
对比几种方式,这种最新方式更适合用于生产和降低成本 开发团体现在寻求这两款新标签的实际应用案例,并研究如何减少标签尺寸,将现在的内存换成可读写的内存。
TDK 计划于今年10月2日举行的CEATEC JAPAN 2007展会展出这两款标签。