电源产品的功率密度、效率、尺寸和质量稳定性一直是电子产品的主要参考指标，相比数字IC，电源功率器件在生产工艺上的更新并不算太快。至今为止，应用广泛的意法半导体功率MOSFET芯片封装技术有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、 DirectFET、PolarPAK等，市场上能够拥有上下两面散热封装技术的半导体厂商只有意法、Vishay和IR三家。日前意法半导体在深圳举办“PolarPAK Day”研讨会，推介其最新功率器件封装技术Polar-PAk，且首次开放其位于深圳福田保税区的赛意法封装厂。

　　目前全球每年MOSFET市场规模约50亿美元，意法半导体排名前五。2007年意法半导体的Power MOSFET与相关的“smart power”器件的销售收入约超过6亿美元。虽然在2008年电源IC供应商在市场上遇到了不小的困难，但是意法半导体与另一家功率变换器件供应商—英飞凌还是保持了近10%的增长。业界分析指出，英飞凌依靠低成本策略，在中国市场逆势而上，而意法则是依靠技术上的创新能力在欧洲市场取得了良好的增长。 

　　据意法半导体功率MOSFET事业部产品与应用总监Maurizio Ferrara介绍，目前该公司MOSFET产品线共有150名设计、销售和市场工程师。2005年意法与Vishay签约共享PolarPAK的专利技术，双方之前共有的生产工厂位于中国台湾，而自2007年二季度起意法将PolarPAK的生产线转移至深圳赛意法后端工厂。2008年三季度 PolarPAK线实际产能达每天4万片，计划2009年可达到设计最高产能每天12万片，目前运营非常稳定，生产良率高达99%以上。在投产初期产品只有SKT800和SKT850两个型号，到2008年已经增加到7个型号，产品满足从25V至100V要求，今后将扩展高压产品线。目前产品主要用于高端服务器主板上的VRM电源。 

　　对于PolarPAK封装芯片的主要特点，Ferrara认为，相比MOSFET其它封装，双面金属散热片的PolarPAK封装具有出色的散热性能，及更高的电源转换器功率密度。 

　　目前市场同样采取双面致冷技术的还有另一家公司推出的directFET封装MOSFET，那么意法的PolarPAK与之相比的性能差别在哪？“我们的产品在长期热老化实验中的Rdson(导通电阻)增加要低于5%，而同类产品的Rdson增加在20%左右。”Ferrara说，“在外加散热片时，相比 directFET意法的PolarPAK封装能够承受更高的机械应力，从而保障芯片在SMT制造过程中的质量。” 

　　虽然PolarPAK是一种创新的封装技术，有着技术上的优势，但同时也意味着它会比传统产品更容易面临客户的考量。尤其是它将要应用到通信领域的服务器主板上，中国的制造商会接受吗？对此，Ferrara给出了他的看法。“技术革新的驱动力往往来自于市场的需求。当市场要求功率密度越来越高，功率IC的尺寸越来越小，要使产品有竞争力，传统的SO-8封装已不能满足。”