Sidense公司是 Logic Non-Volatile Memory (LNVM-逻辑非挥发性储存器) IP 芯片领先开发商,宣布推出公司的 ULP (Ultra-Low Power-超低功耗) one-time programmable (OTP-一次性编程) 宏系列产品。与所有 Sidense OTP 储存器产品系列一样, ULP 宏系列产品是基于公司的专利技术 one-transistor (1T-单个晶体管) 分道架构 (1T-Fuse),无需另外的 掩膜工艺,不会增加生产成本。
Sidense公司是 Logic Non-Volatile Memory (LNVM-逻辑非挥发性储存器) IP 芯片领先开发商,宣布推出公司的 ULP (Ultra-Low Power-超低功耗) one-time programmable (OTP-一次性编程) 宏系列产品。与所有 Sidense OTP 储存器产品系列一样, ULP 宏系列产品是基于公司的专利技术 one-transistor (1T-单个晶体管) 分道架构 (1T-Fuse),无需另外的 掩膜工艺,不会增加生产成本。
早先采用的是 180nm 制作工艺, ULP 宏系列产品的配置是 16 bits- 2 kbits。现在的 OTP宏系列产品特点是低电压 1.5V 读取、低功耗、内置冗余、快速启动、现场编程可以替代 eFuse。一个芯片集成多个模拟器件,每一个器件都有自己的 ULP宏功能用于 修正和调谐作业。
Sidense 公司的产品工程部副总裁 Todd Humes 说:"与我们所有的 NVM 产品一样,ULP 宏系列产品也是基于我们的专利技术单晶体管位单元架构,使 Sidense 公司的产品成为安保可靠、经济有效、现场可编程 OTP 产品。ULP 的开发是应对客户的需求:他们希望有一种 eFuses 替代产品,在启动阶段即可获得数据,读取电压低,现场配置方便这样的产品。"
ULP 已经达到 TSMC的 Minimum Acceptance Criteria (MAC-最低可接受标准)。MAC 标准代表一种最严格最细致的 TSMC IP9000 IP 质量验收方法,它包括以下要求:一份 DRC、LVS、ERC、天线等器件的物理设计评估说明; Design for Manufacturability (DFM-可制造性设计)评估说明; 器件的电气性能和盈利预测评估报告;晶体管器件制作工艺评估;典型的材料与性能相关性、 与数据表相关性相对电压、温度的关系。
ULP 其它信息
与 Sidense公司的 SLP 宏系列产品类似,设计人员可以利用可选可配置 IPS (Integrated Power Supply-集成电源) 宏功能(充电泵)为现场可编程 ULP 存储单元编写程序。Sidense 公司的客户使用的产品已经内置有 ULP。ULP 目前可以供货,它采用 TSMC 的 180nm 工艺,可以方便地整合到其它半导体器件内。
Sidense 公司简介
Sidense 公司专业提供安保、高密度、高可靠、非挥发性、一次性可编程存储器 IP ,用于标准逻辑 CMOS 工艺,无需另外的掩膜处理,不会影响产品生产率。公司的创新性单晶体管1T-Fuse 架构是业界体积最小、最可靠、最低功耗 Logic Non-Volatile Memory (NVM-非挥发性存储器) IP 解决方案。Sidense公司已经获得或者正在申请70多项专利, 公司的 OTP 是一种现场可编程解决方案,在许多OTP 和 MTP应用场合可以替代闪存、掩膜 ROM 和 eFuse 产品。
Sidense 公司的 OTP 存储器内置有100多种个性化设计,采用的工艺从 180nm 低至 40nm,还可以升级到 28nm 甚至更低。这种 IP已经被顶级半导体公司采用,公司的客户采用 Sidense OTP用于模拟修正、 密码储存、密码开关如 HDCP, WHDI, RFID 和芯片识别。另外在医疗、汽车、可配置处理器、逻辑器件上面也有广泛应用。