上海 2011-04-22(中国商业电讯)－－造价达三十亿美元的先进设备工厂现已投产业界领先的NAND闪存，新增约1,200个职位

新加坡，2011年4月22日（GLOBE NEWSWIRE消息）——Intel Corporation (Nasdaq:INTC) 及Micron Technology, Inc. (Nasdaq:MU) 今日为IM Flash Singapore正式揭幕。此后，两家公司将继续携手，通过其NAND闪存合资企业扩展业务。

新落成的新加坡工厂造价达三十亿美元，预计将聘请了约1,200名雇员。目前，这家工厂正在紧锣密鼓地生产公司业界领先的25纳米 (nm) NAND闪存。在庆典仪式上，两家公司为这座最先进的 300 毫米晶片工厂的落成剪彩，包括总理李显龙在内的众多新加坡政要出席了开幕仪式。

“Intel与 Micron紧密合作，在短短五年内就在NAND闪存市场取得了领先地位。” Micron主席兼首席执行官Steve Appleton说道，“作为双方合作关系的另一个重要里程碑，IM Flash Singapore的建成将有力推动Micron在新加坡的业务增长，并巩固新加坡作为本公司亚洲区枢纽的地位。”

“在开发创新型NAND闪存技术方面，Intel与Micron之间的合作卓有成效，”Intel 副总载兼NAND 制造运营总监Dave Baglee说道，“IM Flash合资企业能创造出巨大的增长动力，并且具有行业领先的生产能力。我们期待着IM Flash Singapore加入我们的全球生产网络。”

自2010年年中起，IM Flash开始在位于新加坡的工厂加速生产25纳米NAND闪存。预计该工厂将在2011年后期进入全面生产阶段。

“开始运营后，IM Flash Singapore已成功生产出第一块质量合格的晶片，比计划时间提早了一个月。这样我们就能提早出货给Intel和Micron，”IM Flash Singapore总经理Chen Kok Sing说，“此次成功证明，我们团队成员能够坚守承诺，并且确保无缝执行。当然，这一成功离不开母公司以及IM Flash生产网络中每位成员的强力支持。”

除新加坡工厂以外，本合资企业还在另外两个地点制造产品：Lehi, Utah 及 Micron 的 Manassas, Va.工厂。近期Intel和Micron还推出了20纳米NAND闪存制程技术，并有望在2011年年内运用于IM Flash的各家工厂。

作为全球硅创新领域的领头羊，Intel开发了多种技术和产品，并实施了各类项目，从而不断帮助人们改善生活及工作方式。若需了解关于Intel 的更多信息，请访问www.intel.com/pressroom/。

Micron Technology, Inc. 是全球领先的先进半导体解决方案供应商。通过全球化的运营，Micron公司制造并向市场推出DRAM、NAND和NOR闪存、其他创新存储技术、封装解决方案和半导体系统，用于前沿计算、消费品、网络、嵌入和移动便携产品。Micron 普通股于 NASDAQ 纳斯达克股市交易，代码为 MU 。取得更多关于 Micron Technology, Inc.的信息，请访问：www.micron.com.

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