上海 2011-05-27(中国商业电讯)－－Integrated Silicon Solution, Inc. 成为Micron 的第二货源供应商伙伴

Micron Technology, Inc.（Nasdaq 代码：MU）今日宣布开始提供其第三代低延时 DRAM 初期工程（RLDRAM 3 内存）样品。第三代低延时 DRAM 内存是一种高带宽的内存技术，支持网络信息的高效传输。它专门为高性能网络应用程序量身定做，可支持需要连续读写作业或完全随机存取的高端路由器及交换机，因此对 40千兆 和 100千兆以太网(GbE),包缓冲、检测和查找表作业而言都是最理想的选择。除此之外，第三代低延时 DRAM 内存在速度、密度、延迟时间和耗能方面也都有大幅改善。

IP 电视和视频点播这类基于互联网的视频服务不断扩增，加上移动应用程序和云计算的兴起，使得网络基础设施的效率必须不断提高，以适应在线传输的数据量的需求。第三代低延时 DRAM 内存为网络客户提供结合了高带宽和低延迟时间的解决方案，支持如 100 GbE 等更高的协定速度。

第三代低延时 DRAM 内存可持续维持高达 2133 Mb/s 的数据速率，并提供业界最低随机存取延迟时间10 纳秒（nanoseconds），另通过应用 1.2V IO 电源和 1.35V 内核电压提高用电能效。

Micron DRAM 解决方案事业群网络存储业务部门总监 Bruce Franklin 说：“在 Micron，我们了解今日客户为支持更大的数据量，在优化网络技术和处理相关复杂的基础设施变革方面面临了许多压力。第三代低延时 DRAM 内存是结合低延迟时间和高带宽的解决方案，为客户不断演进的网络内存需求提供充足的运作空间。”

Micron 今日也宣布，Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 将成为其第三代低延时 DRAM 内存的另一家供应商，以确保满足市场货量需求，并与网络客户建立长远关系。

ISSI战略营销总监 Pat Lasserre 说：“通过与 Micron 的紧密合作，我们将能共同满足客户对第三代低延时 DRAM 内存的需求。公司新增了该产品线后，将能够符合客户为适应100 GbE 网络标准，而对专门化、高性能内存技术的长期支持所产生的需求。”


产品订购

有关订购第三代低延时 DRAM 内存样本相关信息可在本公司网站上取得。Micron 预计第三代低延时 DRAM 内存将于 2011 年下半年开始量产。

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Micron简介

Micron Technology, Inc.是领导全球的先进半导体解决方案供应商。通过全球化的运营，Micron公司制造并向市场推出 DRAM、NAND 和 NOR 闪存、其他创新存储技术、封装解决方案和半导体系统，用于前沿计算、消费品、网络、嵌入和移动便携产品。Micron 普通股于 NASDAQ 纳斯达克股市交易，代码为 MU 。取得更多关于 Micron Technology, Inc.的信息，请访问： www.micron.com.

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本新闻稿包含关于第三代低延时 DRAM 内存产品生产的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与这些前瞻性陈述所含内容产生显著差异。请参考 Micron 公司在并表基础上不时向美国证券交易委员会呈报的文件，特别是公司最新的 10-K 表和 10-Q 表。这些文件含有并明确了可能导致公司在合并报表基础上的实际业绩与我们的前瞻性陈述中所含内容产生重大差异的重要因素（参见“已知因素”章节）。尽管我们认为前瞻性陈述中反映的期望是合理的，但我们不能对未来业绩、活动水平、表现或成绩做出保证。


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