Imec的超高频Schottky二极管基于非晶IGZO材料，据说能用于开发薄膜无源超高频（UHF）电子标签，取代目前的条形码标识，很适合单品级应用。

　　超高频RFID标签有一个较长的阅读范围（5米），体形小，可用印刷天线，总体成本低。

　　与硅相比，IGZO材料的低成本优势更明显，因为IGZO薄膜有源器件的制程便宜，要求的温度较前者低。

　　该研发成果将使得RFID芯片直接基于塑料薄膜应用，如产品包装。

　　二极管可用于阻挡电流，例如，在无源标签上，它通过捕捉天线的电磁波并转化为电流为标签供电。

　　IGZO是非晶半导体，能形成一个稳定的Schottky势垒，即使应用于金属环境。

　　获得一个稳定的Schottky势垒后，Imec开发了特别的电浆和退火处理，通过化学过程改变Schottky二极管的接口。

　　由此制成的IGZO Schottky二极管整流比高达九个数量级（+ V 和- V），电流密度高达800 A /cm²（正向偏压1V），截止频率1.8ghz。如果单级整流器，截止频率1.1ghz。

　　实验已证明，整流器件在超高频（868MHz）下损耗很低。

　　本研究为薄膜超高频RFID技术，支持欧盟EU FP7-ICT-247798 project ORICLA。

　　项目的合作伙伴包括项目协调员Imec（比利时），霍尔斯特中心–TNO（荷兰），赢创工业股份公司（Evonik Industries AG，德国），和PolyIC（德国）。(RFID世界网编译)