旺宏(2337)昨天(29)日宣布，旗下12寸厂开始生产第二代36纳米SLC储存型快闪存储器(NAND Flash)产品，挹注营运。

　　旺宏先前在法说会上表示，因36纳米产能恐怕供不应求，所以今年将增加相关资本支出。

　　旺宏指出，上述第二代SLC NAND Flash存储容量从1Gb至8Gb皆有，同时推出NAND-based MCP产品，以满足嵌入式及无线网络市场的应用需求。搭配第一代512Mb及1Gb产品，能提供客户更完整的产品组合及解决方案，巩固在嵌入式市场的地位。

　　旺宏第二代2Gb与4Gb NAND芯片已量产，规划后续第二代8Gb与1Gb NAND芯片将分别于今年下半与明年上半推出，至于NAND MCP已于今年第2季陆续送样，预计将于今年下半量产。

　　旺宏现阶段以唯读式存储器(ROM)与编码型快闪存储器(NOR Flash)为两大主力产品，NOR Flash业务首季营收占比接近七成。新切入的NAND Flash业务，以8Gb以下存储容量的产品为主，目前营收占比仍低，但成长速度快，有机会抢占物联网与穿戴式装置相关商机。

　　旺宏先前透露，供应车用电子的75纳米1Gb NAND芯片已于第1季送样，4月也首度接到应用于通讯领域的36纳米4Gb SLC NAND芯片订单。旺宏预估，未来两、三年内，低容量SLC NAND Flash与高容量NOR Flash产品，将是其两大成长动能。