高度集成的SiGe BiCMOS 和GaAs RF/IF 可变增益控制放大器集多种功能于单芯片，大幅节省原材料，并实现无线性能突破。

基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列，推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计，能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力(如WiFi?和蓝牙?)不断增长的需求。

恩智浦的QUBiC4硅工艺技术为高频应用带来了强劲和实惠的射频/微波产品

SiGe 半导体公司(SiGe Semiconductor, Inc)现已扩展其 Wi-Fi 产品系列，推出 SE2571U 前端模块，专门瞄准包括手机、游戏、数码相机和个人媒体播放器 (PMP) 的嵌入式应用。

器件提供紧凑的6mm x 6mm、36引脚TQFN封装，引脚排列与现有的MAX9985、MAX19985A和MAX9995系列700MHz至2200MHz双通道混频器类似。该系列双通道下变频器理想用于多个频段采用同一PCB布局的应用。

SE2566U 是业界唯一一款集成了两个 2.4GHz 完全匹配功放的 RF 前端解决方案。它还在3mm x 3mm的微型封装中整合了谐波滤波器、输入输出匹配电路，并为每一个发射链路配备了一个功率检测器

博世表示通过采用SiGe技术，可以比以往采用的MMIC技术降低成本。将来有望在车辆上配备两个毫米波雷达，并可追加功能。

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor, Inc)宣布推出该公司集成度最高的射频(RF)前端模块，型号为SE2593A。该器件专为符合IEEE 802.11n规范的Wi-Fi产品而设计，包含了收发器和天线之间所需的全部电路，可提供一个完整的2.4 GHz/5GHz WLAN多输入多输出(MIMO) RF解决方案。