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中芯国际和卓胜微电子合作开发55纳米射频IP平台
作者:RFID世界网收录
时间:2014-10-24 09:30:49
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:981)和卓胜微电子,中国知名射频 IP 公司,23日共同宣布卓胜微电子的蓝牙射频 IP 已在中芯国际55纳米低功耗逻辑工艺上通过硅验证,并已集成到中芯国际某客户的产品流片当中。

  中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:981)和卓胜微电子,中国知名射频IP公司,23日共同宣布卓胜微电子的蓝牙射频IP已在中芯国际55纳米低功耗逻辑工艺上通过硅验证,并已集成到中芯国际某客户的产品流片当中。

  验证成功的蓝牙射频IP是中芯国际和卓胜微电子合作开发的成果,也是中芯国际建立射频IP平台的重要里程碑。此IP已达到业内领先地位,可为双方共同的客户群,如当前日益壮大的物联网市场,以及繁荣的手机及平板市场,提供优质的IP解决方案。

  中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士表示,“我们非常高兴与卓胜微电子合作。这一重要突破使中芯国际能够提供业界先进的55纳米射频 IP 解决方案,巩固了中芯国际在中国半导体代工行业的领先地位。我们有信心为客户提供一流的解决方案和设计服务。”

  “很高兴看到卓胜微电子的经典蓝牙和低功耗(BLE)蓝牙射频IP在中芯国际55纳米平台上得到验证。”卓胜微电子总经理许志翰表示:“除了在智能手机、平板、蓝牙音频等领域对传统蓝牙的大量需求,低功耗蓝牙在IoT领域有着更加巨大的潜力。随着低功耗蓝牙技术的普及,智能设备将在日常生活中无处不在,涵盖可穿戴、智能家居、智能医疗、智能运动等多个领域。通过与中芯国际的合作,我们相信能够以优异的蓝牙技术和优质专业的服务来支持全球客户。”

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