物联网商机持续发烧，全球穿戴式、物联网和大数据的应用需求继续升温，带动MEMS、MCU、指纹识别等芯片需求，推动半导体产业的急速发展。
分析师认为，为了达到高性能传输、数据处理以及超低功耗等特性，IC制造商的制程技术发展策略转向由成熟制程技术推进特殊工艺发展，更有甚者将8寸晶圆特殊制程转移至12寸晶圆，以提高产能利用率、降低成本。
IBS预测，2020年全球IoT产业将产生高达7000亿美元的价值。中芯国际深圳8寸厂的投产，正是看准了这一市场。IoT产品，由于产品特性更注重杀手级应用，却并不需要先进制程技术，这使得中芯国际深研成熟制程，发挥差异化优势的策略成效渐显。
虽然全球晶圆制造企业正追逐14/16纳米的先进制程，中芯国际今年刚试产28纳米，差距仍在。但在55纳米 eFlash， 38纳米NAND， CIS-BSI、MEMS等方面，据集微网了解到，中芯国际进步明显。CIS方面，FSI 和 BSI 均已投入生产，与芯视达合作的CIS-BSI产品已经实现量产。中芯国际提供包括 CIS 晶圆制造，彩色滤光片和微镜头制造，硅通孔芯片级封装(TSV-CSP)及测试在内的一站式服务。
MEMS方面，中芯国际更侧重IoT传感器的开发，MEMS振荡器早于2013年投入量产，麦克风和加速器在今年火热试产中，中芯国际还为敏芯(MEMSensing)三轴加速度传感器 MSA330 提供 TSV 封装的解决方案。RF方面，中芯国际更实现多种产品的量产，同时提供RF-FEM的解决方案。
去年8月，中芯与华大电子推出国内第一颗55纳米智能卡芯片，采用中芯国际55纳米低功耗嵌入式闪存(eFlash)平台，成功导入中国移动、中国联通及部分海外运营商实现批量生产。中芯通过自主研发的38纳米NAND技术，提供面向移动计算、嵌入式存储、电视、机顶盒和IoT市场的多技术平台，这些成熟技术的优化项目还能提供高密度，低漏电，低功耗和嵌入式NVM的解决方案。
中芯国际CEO邱慈云曾公开表示，去年我们在40纳米与65纳米产品线上成功流片了涵盖广泛应用的新产品，这使得2015年中芯国际第一财季营收再创历史新高，达到5.098亿美元，29.4%的毛利率也是近十年来最高，实现连续第十二个季度的盈利。
公开数据显示，从2007年至2011年，4年间中国国内IC产值占全球份额提升了1.7个百分点。从2011到2013，两年间又提升了2.1个百分点。随着市场和技术壁垒的消除，国内IC产业加速发展，对成熟工艺的需求旺盛，使中芯国际国内客户稳固增长。最新财报显示，中芯国际(2015)一季度中来自中国客户的收入破纪录的达到47%。国内IC市场的急速增长，IC产业生态圈的建立，让中芯国际处于有利地位。
当然，看准物联网市场的不止中芯一家。今年3月联电在厦门启动12寸建厂计划，向无尘室供应商亚翔采购超过85亿元相关设备，同时宣布与ARM合作全新的55纳米超低功耗制程(55ULP)技术，抢攻物联网市场。碍于大陆半导体厂“N-1技术”法规的限制，联电目前在台湾量产的是28纳米制程，因此到大陆只能生产55纳米和40纳米制程的产品。预计2016年4月开始装机，试产等到明年第三季度，真正量产时间要到2017年。
传闻联电与IC设计公司展开18纳米制程合作，为厦门12寸厂推进28纳米铺路。业内人士认为，联电18纳米制程采用FinFET设计，技术难度相当高，联电好不容易量产28纳米，并投入14纳米制程，若18纳米制程同时研发，必将分散内部研发资源。
对于联电厦门建厂之事，业内一直有传台积电也在考虑中。分析师认为，目前台积电合资的法令规范尚未解套，能否以独资身份来陆建厂仍不明朗，困难重重。
去年6月，国务院公布《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出到2015年集成电路产业销售收入超过3500亿元的目标，到2030年产业链主要环节达到国际先进水平，并提出成立产业基金等创新支持模式。中芯国际正处于产业基金重点支持的制造领域，今年2月，大基金宣布向中芯国际注资约31亿港元(约合4亿美元)，4月发改委已对“大基金”投资中芯国际的项目予以备案。
中国集成电路行业发展迅速，在大基金的促进下，更出现“蛇吞象”式的跨国并购。中芯国际携手长电科技及国家产业基金，联合收购全球第四大封装测试公司星科金朋这一事件搅动了全球半导体行业格局，对于中芯国际来说，与长电合资成立的12 寸Bumping 产线更是指向未来半导体封测最核心的中段技术，与IC行业上下游的垂直合作，为中芯国际的做大做强打下基础。
一直以来，关于中芯与东部高科的并购消息传闻不断。国际芯片市场的并购大戏高潮迭起，英特尔170亿美元收购Altera，安华高370亿美元收购博通，NXP斥资118亿美元收购飞思卡尔，如若中芯国际能够成功实现并购，全球8英寸晶圆市场格局有望被打破，晶圆制造行业的并购之火能否被点燃?