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从闪存卡到SSD硬盘,存储芯片是如何发展起来的?
10/14
上篇文章(链接),小枣君给大家详细介绍了DRAM的沧桑往事。
美光DRAM商业机密案再升级,案件可能存在政治压力
06/28
据彭博社6月26日报道,美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令,将涉嫌窃取美国存储大厂美光 DRAM 技术商业机密案的三位嫌疑人列入通缉名单,其中一人是福建晋华总经理陈正坤,另外两人是从美光跳槽联电的工程师何建廷和王永明。
全球存储芯片市场遇冷,Intel半导体收入有望超越三星重回第一
03/12
来自IC insights的预测显示,由于存储芯片(包括DRAM内存和NAND闪存)行情转冷,三星的半导体产品年收入将同比暴跌20%,虽然Intel也基本保持平稳,但结果将最终变成三星再次跌至第二位,Intel重回第一。
英特尔买下Mobileye:转型数据公司的开始
08/14
英特尔虽贵为PC时代的霸主,但是错过了移动互联网的浪潮,并且在今年DRAM和NAND Flash持续涨价的背景下,三星有可能威胁英特尔占据了几十年的半导体霸主地位。
传京东方将进军存储芯片 中国企业具大量发展机会
04/15
受到《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以及国家集成电路产业投资基金成立等利好政策的助推,今年以来包括存储芯片在内的集成电路产业,热度不断升高,据悉积极争取设立DRAM厂的地方政府已达6家。由于全球存储产业正处于转型期,加之市场广阔,即使行业已趋于高度垄断,如果政策到位、措施得当,未来中国切入存储产业,依然存在机会。
2013年DRAM营业收入预计上升但风险因素仍在
01/22
据IHS iSuppli公司的DRAM市场简报,尽管PC销售疲软且产能过大,但DRAM产业的营业收入今年增长率可能达到两位数。不过主要风险仍在,而且可能彻底改写该产业的财务状况,并导致其连续第三年萎缩。
Micron 宣布提供第三代低延时DRAM(RLDRAM(R)内存)样品
05/27
Micron 宣布提供第三代低延时DRAM(RLDRAM(R)内存)样品
Micron会同Nanya联合推出42纳米DRAM工艺技术
02/09
Micron会同Nanya联合推出42纳米DRAM工艺技术
美光公司因其DRAM和NAND闪存技术创新获得知名的半导体Insight奖
04/06
美光科技股份有限公司(纽约证券交易所:MU)今日宣布,Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。
存储市场经历严冬考验 多元化发展是出路
12/01
2008经济连续的动荡令人对2009年的市场前景忧心忡忡,长期萎靡不振的DRAM价格刚呈现反弹趋势,又遭受经济危机重创,未来市场需求走势不明。
跨足太阳能、RFID 茂矽再涨停
03/04
茂矽宣布成立太阳能与无线通讯辨识(RFID)两大新事业部,今年在完全退出DRAM业务后,加入新产品线后,营运将可望逐年改善。
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