据路透社当地时间19日报道援引知情人士称，英特尔正准备将NAND芯片业务，以近100亿美元的价格，出售给SK海力士。若交易达成，将使得SK海力士超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商，并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。

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来自IC insights的预测显示，由于存储芯片(包括DRAM内存和NAND闪存)行情转冷，三星的半导体产品年收入将同比暴跌20%，虽然Intel也基本保持平稳，但结果将最终变成三星再次跌至第二位，Intel重回第一。

英特尔虽贵为PC时代的霸主，但是错过了移动互联网的浪潮，并且在今年DRAM和NAND Flash持续涨价的背景下，三星有可能威胁英特尔占据了几十年的半导体霸主地位。

比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注!曾经一度大举退出内存生产的中芯国际，为何锁定瞄准ReRAM?主要原因在于ReRAM应用在物联网(IoT)装置拥有愈长的电池续航力，一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。

伟诠电(2436)布局已久的NFC概念的手机行动支付IC卡正式出货!伟诠电挟自行开发的SDIO加密卡的技术整合NFC、Nand flash等功能，在完成产品开发后，今年送中国、韩国等厂商验证，目前已获数家中系厂商验证通过采用，正式开始交货，为公司看好具市场潜力的产品线。

旺宏(2337)昨天(29)日宣布，旗下12寸厂开始生产第二代36纳米SLC储存型快闪存储器(NAND Flash)产品，挹注营运。

MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封装将16片行业标准32Gb NAND闪存芯片和2片HLNAND接口器件组合在一起，在一个单字节宽HLNAND接口通道上实现了333MB/秒的输出。普通NAND闪存多芯片封装设计不能堆迭超过4片NAND芯片，否则性能便会降低，并且需要用两个甚至多个通道来实现类似的吞吐率。

Crocus的MLU XOR，称之为地匹配(Match-In-Place)，它实现了比较和加密功能，可防止智能卡、身份证、SIM卡、近距离无线通讯(NFC)遭到篡改。Match-In-Place还实现了搜寻和比较功能所需的网路路由应用，可以实现比传统CMOS硬体搜寻处理器更高出50倍的密度。此外，所有配置的MLU都能在高达200℃的温度中正常运作，这使其成为汽车和工业电子产品的理想应用。

全球闪存卡的领导者SanDisk Corporation (NASDAQ：SNDK) 近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit (Gb) 单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。

Intel 和Micron开始在新加坡营运NAND闪存业务

美光科技股份有限公司（纽约证券交易所：MU）今日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。

利用这项技术可以从NOR闪存轻松过渡到性价比更高的NAND闪存

Memory Spot是科技业不断研究改进无线射频识别（RFID）技术的成果之一。RFID的问题在于功能有限（通常只能吐出序号，供后续数据库查询），和感应器部署成本过高。英特尔实验室正在研究如何增加RFID标签的功能，让使用的货物能在温度改变或遭受破坏等异常情况时，发出紧急信号。借由Memory Spot，惠普同时解决了功能性和成本问题。这组实验性芯片能以每秒10MB传输信息，速度媲美Wi-Fi。记忆空间也足以存放大量信息，或至少不只一组序号。不同于RFID芯片，内有NAND闪存的Memory Spot，可重复清除和修改。